[发明专利]硅纳米线肖特基结型太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅纳米线肖特基结型太阳能电池，其特征是具有如下结构：在带有SiO2层的Si基底的SiO2层的表面分散有平铺的硅纳米线，设置在SiO2层上的源漏电极与硅纳米线形成欧姆接触，作为硅纳米线端输出电极，设置在SiO2层上的栅极电极与硅纳米线形成肖特基结，作为太阳能电池肖特基结另一端输出电极。本发明工艺简单、适合大规模生产，可制备光吸收能力强、光电转换效率高的太阳能电池，为硅纳米结构在太阳能电池的应用中奠定了基础。

主权项

一种硅纳米线肖特基结型太阳能电池，其特征是具有如下结构：在带有SiO2层(2)的Si基底(1)的SiO2层的表面分散有平铺的P型硅纳米线(3)，设置在所述SiO2层上的Au源漏电极(4)与所述P型硅纳米线(3)形成欧姆接触，作为硅纳米线端输出电极，设置在所述SiO2层上的Ti栅极电极(5)与所述P型硅纳米线(3)形成肖特基结，作为太阳能电池肖特基结另一端输出电极。