[发明专利]一种锂离子电池负极材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210035810.1 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102544461A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 薛卫东;李昱树;唐瑛材 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/134;H01M4/1395 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种锂离子电池负极材料及其制备方法，属于锂离子电池技术领域。本发明针对锂离子电池高容量硅负极材料在电化学嵌脱锂过程中产生的严重的体积效应以及该类材料低导电特性，提供一种具有高库仑效率、高循环性能的锂离子电池负极材料及其制备方法。本发明采用N型或P型掺杂晶体硅活性粉体作为主体材料、添加碳元素以及粘结剂后压片而成。所述锂离子电池负极材料能在保持高容量的同时，能提高硅微晶活性嵌锂中心的电接触性能，从而减小硅微晶体积剧烈地变化，增加其循环稳定性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锂离子电池 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锂离子电池负极材料，包括导电涂布基材和硅负极组成物；所述硅负极组成物涂覆于导电涂布基材表面后，与所述涂布基材一起经干燥、压片形成片状材料；所述硅负极组成物包括质量分数为40～90％的掺杂晶体硅活性粉体、8～20％的聚偏二氟乙烯和2～40％的乙炔黑；所述掺杂晶体硅活性粉体为III族或V族元素掺杂的晶体硅经粉碎、球磨并干燥处理所得，其粒径控制在1.0～10μm之间，其电阻率控制在0.5～500Ω·cm之间。
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