[发明专利]一种锂离子电池负极材料及其制备方法无效
申请号: | 201210035810.1 | 申请日: | 2012-02-17 |
公开(公告)号: | CN102544461A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 薛卫东;李昱树;唐瑛材 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01M4/38 | 分类号: | H01M4/38;H01M4/134;H01M4/1395 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 锂离子电池 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于锂离子电池技术领域,涉及锂离子电池负极材料和制备方法。
技术背景
随着石油价格日渐攀升和环保节能的要求,混合动力车和电动车受到了越来越密切的关注。锂离子电池由于其固有的一系列特点,例如开路电压高、无记忆效应、高比能量、高比功率、长寿命、低成本,是最有潜力的动力电源之一[1]。([1]M.Armand,J.M.Tarascon,Nature 2008,451:652-657)。材料技术的进步是锂离子电池产业发展的基础,现有的商业化负极材料很难满足日益增长的动力电源的特殊需要,因此迫切需要开发新的高容量电极材料。对负极材料来说,碳负极自锂离子电池商业化以来,实际比容量已经接近372mAh/g的理论值,很难再有提升的空间,寻找替代碳的高比容量负极材料成为一个重要的发展方向。近十多年来,非碳负极材料的研究取得了突破性的进展[2]。这些新材料存贮释放能量的机制不同于传统的石墨化碳材料,主要是锂与金属元素间可逆的合金化/去合金化反应。它们主要包括三类材料:(I)纳米氧化物、硫化物、氮化物、磷化物、氟化物:如SnO、FeS2等;(II)基于纳米金属的材料:如单质Sn,合金SnSb,金属间化合物CuSn等;(III)基于纳米半导体单质的材料:如单质Si、Ge,合金SiNi,复合物Si/C等。这些新型材料都拥有较高的可逆容量。在小电流密度充放电情况下,Si的容量最大可以提高十倍左右(Si的理论容量4200mAh/g)[2]。([2]E.Stura,C.Nicolini,Analytica Chimica Acta 2006,568,57.)
一般来说,负极材料除了具有较高的电化学容量、可耐大电流密度充放电之外,还应该满足如下八个方面的要求[3,4]([3]E.Hosono,H.Matsuda,I.Honma,M.Ichihara,H.S.Zhou,J.Electrochem.Soc.2007,154,A146.[4]L.Taberna,S.Mitra,P.Poizot,P.Simon,J.M.Tarascon,Nat.Mater.2006,5,567.):
(1)电子和离子在电极活性材料内部的输运距离短,以便减缓动力学因素的制约;
(2)有较大的电极反应面积,以便降低有效电流密度;
(3)有较高的电子电导率,以便降低欧姆极化;
(4)有较大的离子扩散系数,以便降低扩散极化;
(5)锂离子在材料中的嵌/脱电位与金属锂的电位接近;
(6)锂在嵌/脱过程中的可逆性高,并且材料结构在此过程中不发生变化、或变化很小;
(7)材料表面与电解液之间能形成固体电解质膜(SEI,Solid electrolyte interface);
(8)材料在指定电压范围内有良好稳定性。
硅材料是目前研究较多的高性能锂电池负极材料之一,硅和锂能形成Li12Si7、Li7Si3、Li13Si4、Li15Si4、Li22Si5等合金[5]([5]Sharma R A,Seefurth R N.J.Electrochem.Soc.,1976,123:1763-1768)。其中,Li22Si5理论容量最高,为4200mAh·g-1,超过传统石墨电极的10倍,远大于各种氮化物和氧化物的比容量,并且Si在充放电过程中,不易引起锂枝晶在电极表面的形成,安全性高,同时还具有低脱嵌锂电压(低于0.5Vvs Li/Li+)与电解液反应活性低等优点;而且硅在地球上储量丰富,成本较低,是一种非常有发展前途的锂离子电池负极材料[5]。然而在充放电过程中,除了首次不可逆容量大以外,还存在硅的脱嵌锂反应将伴随大的体积变化(~300%),造成材料结构的破坏和机械粉化[6],导致电极材料间及电极材料与集流体的分离,进而失去电接触,致使容量迅速衰减,循环性能恶化等问题。([6]Boukamp B A,Lesh G C,Huggins R A.J.Electrochem.Soc.,1981,128:725-729))。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210035810.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。