[发明专利]凸面双闪耀光栅的制备方法

摘要

本发明是一种凸面双闪耀光栅的制备方法，该制备方法是在一球冠状凸面基底上制备两个闪耀角分别是A闪耀角和B闪耀角的凸面双闪耀光栅，通过A、B两个光栅区上分别使用光刻胶光栅和同质光栅为掩模进行球面转动斜向Ar离子束扫描刻蚀，实现两个闪耀角的不同控制，避免了二次光刻胶光刻工艺。由于在制备同质光栅时，可以控制正向离子束刻蚀的时间，使同质光栅的槽深得到精确控制，另外由于同质光栅掩模和基片是同一种材质形成，两者的刻蚀速率始终保持一致，因此可以实现闪耀角的精确控制。

主权项

一种凸面双闪耀光栅制备方法，该方法在一球冠状凸面基片上制备凸面双闪耀光栅，所述凸面双闪耀光栅的两个闪耀角分别是A闪耀角和B闪耀角，其中A闪耀角大于B闪耀角，双闪耀光栅分为两个区，对应A闪耀角的为A光栅区，对应B闪耀角的为B光栅区，其特征在于：所述制备方法包括下列步骤：1)在基片上涂布光刻胶，该光刻胶厚度由所述A闪耀角决定；2)对所述光刻胶层进行干涉光刻，形成用于制备A闪耀角的光刻胶光栅；3)遮挡所述B光栅区，在A光栅区上，以所述光刻胶光栅为掩模，对基片进行球面转动斜向Ar离子束扫描刻蚀，利用光刻胶光栅掩模对离子束的遮挡效果，使基片材料的不同位置先后被刻蚀，形成A闪耀角的闪耀光栅；4)遮挡所述A光栅区，在B光栅区上，以所述光刻胶光栅为掩模，对基片进行正向离子束刻蚀，将光刻胶光栅图形转移到基片上，形成B光栅区的同质光栅，刻蚀深度由B闪耀角决定；5)清洗基片，去除剩余光刻胶。6)遮挡A光栅区，以所述B光栅区的同质光栅为掩模，对基片进行球面转动斜向Ar离子束扫描刻蚀，利用同质光栅掩模对离子束的遮挡效果，使基片材料的不同位置先后被刻蚀，形成B闪耀角的闪耀光栅；7)清洗基片，得到双闪耀角的闪耀光栅。