[发明专利]形成III/V族半导体材料的方法及用该方法形成的半导体结构有效
| 申请号： | 201210032506.1 | 申请日： | 2012-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102683508A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托夫·菲盖;P·托马斯尼 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;张旭东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成III/V族半导体材料的方法及用该方法形成的半导体结构。形成三元III族-氮化物材料的方法包括在腔室内在衬底上外延生长三元III族-氮化物材料。外延生长包括在腔室内提供气体前体混合物，其包括腔室内氮前体分压与一个或者多个III族前体的分压的相对较高的比率。至少部分由于具有相对高的比率，所以可以将三元III族-氮化物材料层生长到较高的最终厚度，而在其中具有较小的V凹坑缺陷。使用这样方法来制造包括这样的三元III族-氮化物材料层的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 iii 半导体材料 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种形成InGaN的方法，该方法包括：在腔室内提供GaN层；在所述GaN层的表面上外延生长InGaN层，该步骤包括：在所述腔室内提供气体前体混合物；选择所述气体前体混合物，以包括一个或者多个III族前体和氮前体；将所述气体前体混合物配制为使所述腔室内所述氮前体的分压与所述一个或者多个III族前体的分压的比率至少为大约5600；以及在所述GaN层的表面附近分解所述一个或者多个III族前体的至少一部分和所述氮前体的至少一部分；以及将所述InGaN层生长到大于大约100纳米(100nm)并且小于所述InGaN层的临界厚度的平均最终厚度。
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