[发明专利]半导体器件、半导体器件的制造方法以及电源器件有效
| 申请号： | 201210031859.X | 申请日： | 2012-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN102646609A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 清水浩三;冈本圭史郎;今泉延弘;今田忠纮;渡部庆二 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/335;H01L23/488;H01L29/778;H02M7/217;H02M3/155 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、以及电源器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑板的半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个；在半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上，形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的另一个；以及在半导体芯片安装区域中定位半导体芯片之后，形成包括具有第一金属和第二金属的合金的层以将半导体芯片与半导体芯片安装区域接合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 电源 器件 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑板的半导体芯片安装区域和所述半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个；在所述半导体芯片安装区域和所述半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有所述第一金属的层和具有所述第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上，形成具有所述第一金属的层和具有所述第二金属的层中的另一个，以及在所述半导体芯片安装区域中定位所述半导体芯片之后，形成包括具有所述第一金属和所述第二金属的合金的层以将所述半导体芯片与所述半导体芯片安装区域接合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210031859.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：料区到料仓物流系统
- 下一篇：一种自适应微调整保护中断间隔时间的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
