[发明专利]卤素掺杂ITO导电膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210030228.6 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN103243298A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518100 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于导电薄膜领域，其公开了一种卤素掺杂ITO导电膜及其制备方法；该导电薄膜的化学通式为In2O3Ax:ySn4+；其中，A为掺杂元素，A选自F、Cl或Br，x的取值范围为0.08～0.25，y的取值范围为0.1～0.19。本发明采用磁控溅射设备，制备卤素掺杂ITO导电膜，其在450～790nm波长范围可见光透过率85％～90％，方块电阻范围20～100Ω/□，表面功函数5.5～6.1eV。 | ||
| 搜索关键词： | 卤素 掺杂 ito 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种卤素掺杂ITO导电膜的制备方法，其特征在于，该制备方法的步骤如下：S1、称取In2O3、SnO2和SnA4粉体，经过均匀混合后，在900～1300℃下烧结处理，制得陶瓷靶材；其中，A选自F、Cl或Br，In2O3、SnO2和SnA4粉体的摩尔数分别为1.6～2.0mol、0.05～0.3mol以及0.08～0.2mol；S2，将步骤S1中制得的陶瓷靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体中，并将真空腔体设置成真空状态；S3，调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45～95mm，磁控溅射工作压强0.2～4Pa，氩气工作气体的流量为10～35sccm，衬底温度为250℃～750℃，溅射功率为30～150W；接着进行制膜，得到所述卤素掺杂ITO导电膜；该卤素掺杂ITO导电膜的化学通式为In2O3Ax:ySn4+；其中，A为掺杂元素，x的取值范围为0.08～0.25，y的取值范围为0.1～0.19。
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