[发明专利]卤素掺杂ITO导电膜及其制备方法

权利要求书

1.一种卤素掺杂ITO导电膜的制备方法，其特征在于，该制备方法的步骤如下：

S1、称取In₂O₃、SnO₂和SnA₄粉体，经过均匀混合后，在900～1300℃下烧结处理，制得陶瓷靶材；其中，A选自F、Cl或Br，In₂O₃、SnO₂和SnA₄粉体的摩尔数分别为1.6～2.0mol、0.05～0.3mol以及0.08～0.2mol；

S2，将步骤S1中制得的陶瓷靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体中，并将真空腔体设置成真空状态；

S3，调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45～95mm，磁控溅射工作压强0.2～4Pa，氩气工作气体的流量为10～35sccm，衬底温度为250℃～750℃，溅射功率为30～150W；接着进行制膜，得到所述卤素掺杂ITO导电膜；该卤素掺杂ITO导电膜的化学通式为In₂O₃A_x:ySn⁴⁺；其中，A为掺杂元素，x的取值范围为0.08～0.25，y的取值范围为0.1～0.19。

2.根据权利要求1所述的卤素掺杂ITO导电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，In₂O₃、SnO₂和SnA₄粉体的摩尔数分别为1.8mol、0.15mol以及0.12mol，相应地，步骤S3中，x的取值范围为0.13，y的取值范围为0.15。

3.根据权利要求1所述的卤素掺杂ITO导电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述靶材制备的烧结温度为1250℃。

4.根据权利要求1所述的卤素掺杂ITO导电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述真空状态的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa。

5.根据权利要求4所述的卤素掺杂ITO导电膜的制备方法，其特征在于，所述真空状态的真空度为5.0×10^-4Pa。

6.根据权利要求1所述的卤素掺杂ITO导电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述基靶间距为60mm；所述磁控溅射工作压强为2.0Pa；所述氩气工作气体的流量为25sccm；所述衬底温度为500℃；所述溅射功率为100W。

7.一种采用权利要求1所述制备方法制得的卤素掺杂ITO导电膜，其特征在于，该卤素掺杂ITO导电膜的化学通式为In₂O₃A_x:ySn⁴⁺；其中，A为掺杂元素，x的取值范围为0.08～0.25，y的取值范围为0.1～0.19。

8.根据权利要求7所述的卤素掺杂ITO导电膜，其特征在于，x的取值范围为0.13，y的取值范围为0.15。

9.根据权利要求7所述的卤素掺杂ITO导电膜，其特征在于，所述卤素掺杂ITO导电膜的方块电阻范围为20～100Ω/□以及表面功函数为5.5～6.1eV。