[发明专利]一种ZnO纳米线阵列的掺杂方法无效
| 申请号： | 201210028435.8 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102593282A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 丁建宁;王秀琴;袁宁一;刘跃斌;谭成邦 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及ZnO纳米线阵列，特指一种ZnO纳米线阵列的掺杂方法，即利用等离子体对ZnO纳米线阵列进行B掺杂。利用B2H6等离子体对ZnO纳米线进行B掺杂，工作气体为B2H6，射频功率在30-60W，压强70-100Pa，加热温度为300℃，时间为5-20min。由于ZnO纳米线有大的表面积体积比，小的直径尺寸，纳米线浸没在等离子体中，从而可实现B原子均匀掺杂；另一方面，利用等离子体技术掺杂，可实现ZnO纳米线的低温掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 纳米 阵列 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO纳米线阵列的掺杂方法，包括利用水热法生长ZnO纳米线阵列的步骤，对ZnO纳米线阵列进行B掺杂的步骤，制备金属电极的步骤，测定ZnO纳米线伏安特性的步骤，其特征在于：对ZnO纳米线阵列进行B掺杂的步骤指利用B2H6等离子体对ZnO纳米线进行B掺杂，工作气体为B2H6，射频功率在30‑60W，压强70‑100Pa，加热温度为300℃，时间为5‑20min。
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