[发明专利]用于快速开关的带有可控注入效率的二极管结构有效
| 申请号： | 201210026972.9 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102623513A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 马督儿·博德;哈什·奈克;管灵鹏;安荷·叭剌;雷燮光 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出了一种设置在半导体衬底中的半导体器件。该半导体器件包括一个在第一主平面上的第一导电类型的第一半导体层。该半导体器件还包括一个第二导电类型的第二半导体层，在第一主平面对面的第二主平面上。该半导体器件还包括一个第一导电类型的注入效率控制缓冲层，直积设置在第二半导体层下方，以控制第二半导体层的注入效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 快速 开关 带有 可控 注入 效率 二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种设置在半导体衬底中的半导体器件，其特征在于，包括；一个第二导电类型的第二半导体层位于所述的半导体衬底的顶部；以及一个第一导电类型的第一半导体层，位于所述的第二半导体层下方；其中第一半导体层还包括一个第一导电类型的注入效率控制缓冲层，直接设置在所述的第二导电类型的第二半导体层下方，所述的注入效率控制缓冲层位于第一半导体层的顶部；其中第一半导体层还包括一个第一导电类型的漂流区，位于注入效率控制缓冲层下方，其中注入效率控制缓冲层的掺杂浓度高于漂流层，从而控制所述的第二半导体层的注入效率，并且其中第一半导体层和第二半导体层包括二极管的两部分，一部分作为阳极，另一部分作为阴极。
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