[发明专利]基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法

摘要

本发明提供一种基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其主要工艺流程包括：选取基片，涂覆负性光刻胶，对基片先进行无掩膜曝光，再进行掩膜移动曝光、后烘和显影工艺获得微透镜阵列的光刻胶图形，最后采用干法刻蚀将光刻胶图形转移到基片上，即可获得微透镜阵列结构。本发明优点是利用负性光刻胶实现连续面形的微透镜阵列加工。由于负性光刻胶具有较好的抗刻蚀特性，并且在温度较高时光刻胶图形不易变形，使得这种微透镜阵列加工方法不仅可用于普通微透镜阵列的制备，也可用于需要深刻蚀或制备于厚基片上的微透镜阵列加工。

主权项

基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其特征在于：该方法使用负性光刻胶和掩膜移动曝光技术制备微透镜、微棱镜微结构阵列，包括以下步骤：步骤1)选取合适的基片，对其表面进行清洗并烘干；步骤2)在清洗好的基片上涂覆负性光刻胶，并进行前烘；步骤3)将涂有光刻胶的基片放入曝光设备里，从基片未涂胶的一面进行无掩膜曝光；步骤4)将完成无掩膜曝光的基片重新放入掩膜移动曝光设备，从光刻胶表面进行掩膜移动曝光；步骤5)对曝光完成后的基片做后烘、显影及定影处理；步骤6)以步骤5)完成的光刻胶图形为掩蔽层，采用干法刻蚀设备将光刻胶图形传递到基片上；步骤7)去除底胶获得最终的微透镜阵列结构。