[发明专利]基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法

权利要求书

1.基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其特征在于：该方法使用负性光刻胶和掩膜移动曝光技术制备微透镜、微棱镜微结构阵列，包括以下步骤：

步骤1)选取合适的基片，对其表面进行清洗并烘干；

步骤2)在清洗好的基片上涂覆负性光刻胶，并进行前烘；

步骤3)将涂有光刻胶的基片放入曝光设备里，从基片未涂胶的一面进行无掩膜曝光；

步骤4)将完成无掩膜曝光的基片重新放入掩膜移动曝光设备，从光刻胶表面进行掩膜移动曝光；

步骤5)对曝光完成后的基片做后烘、显影及定影处理；

步骤6)以步骤5)完成的光刻胶图形为掩蔽层，采用干法刻蚀设备将光刻胶图形传递到基片上；

步骤7)去除底胶获得最终的微透镜阵列结构。

2.根据权利要求1所述的基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其特征在于，所述微透镜单元结构可以为任意形状。

3.根据权利要求1所述的基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其特征在于，所述步骤1)中基片材料为紫外透射材料。

4.根据权利要求1所述的基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其特征在于，所述步骤2)中的负性光刻胶为紫外负性光刻胶。

5.根据权利要求1所述的基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其特征在于，所述步骤2)中负性光刻胶的涂覆厚度为5～100um。

6.根据权利要求1所述的基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其特征在于，所述步骤4)中的掩膜需根据待制备微透镜的面型、矢高预先进行设计和加工；掩膜的单元尺寸和待制备微透镜阵列的单元尺寸相同，每个掩膜单元中包含多个子单元，在平行于掩膜移动的方向上依次排列；子单元的结构根据各个子单元对应位置的微透镜面形设计，其具体数目由微透镜单元的尺度决定。

7.根据权利要求1所述的基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其特征在于，所述步骤4)中的掩膜移动曝光可以为接近式曝光或投影式曝光。

8.根据权利要求1所述的基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其特征在于，所述步骤6)中的干法刻蚀设备可以为等离子刻蚀机、离子束刻蚀机或者电感耦合等离子刻蚀机。