[发明专利]具有含碳绝缘层的肖特基势垒晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210026661.2 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN102569418A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王巍;王敬;赵梅;梁仁荣 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L21/338 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有含碳绝缘层的肖特基势垒晶体管及其制备方法，该肖特基势垒晶体管包括衬底及其上形成的栅堆叠，金属源极和金属漏极，在衬底与金属源极之间以及衬底与金属漏极之间的含碳绝缘层。本发明的肖特基势垒晶体管具有含碳绝缘层，该含碳绝缘层对费米能级钉扎现象具有减缓效果，能够有效降低肖特基接触势垒的高度。本发明的制备方法简单快捷，工艺稳定性高，制作成本低，制备的含碳绝缘层的厚度基本一致，能够有效阻挡金属自由态进入半导体，从而降低肖特基势垒高度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘 肖特基势垒 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有含碳绝缘层的肖特基势垒晶体管，其特征在于，包括：衬底及其上形成的栅堆叠；金属源极和金属漏极，所述金属源极和金属漏极形成在所述栅堆叠两侧的衬底内；含碳绝缘层，所述含碳绝缘层形成在所述衬底与所述金属源极之间以及所述衬底与金属漏极之间，所述含碳绝缘层为含有烷基的有机分子链。
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