[发明专利]集成电路中具有高面积效益的接口装置布置无效
申请号: | 201210022887.5 | 申请日: | 2012-01-10 |
公开(公告)号: | CN102683340A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 威卡斯·弥沙;王秉达 | 申请(专利权)人: | ARM有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/48;H03K19/0175 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宋鹤 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 本发明揭示一种集成电路中具有高面积效益的接口装置布置。集成电路包含:核心,核心包含逻辑电路系统:多个接口装置,用于传送信号至处理核心以及从处理核心传送出信号,多个接口装置包含两种接口装置类型:一种类型为功率接口装置,功率接口装置用于向核心递送功率;以及第二种类型为信号接口装置,信号接口装置用于在核心与集成电路外部的装置之间传送数据信号;其中,多个接口装置被布置成两列,两列包含外部列与内部列,外部列朝向核心的外部边缘,且内部列位于外部列内并靠近核心的中心,内部列包含两种接口装置类型中的一种,而外部列包含两种接口装置类型中的另一种。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 具有 面积 效益 接口 装置 布置 | ||
【主权项】:
一种集成电路,包含:核心,所述核心包含逻辑电路系统:多个接口装置,用于传送信号至处理核心以及将信号从处理核心传出,所述多个接口装置包含两种接口装置类型:一种类型为功率接口装置,功率接口装置用于递送功率至所述核心;以及第二种类型为信号接口装置,信号接口装置用于在所述核心与所述集成电路外部的装置之间传送数据信号;其中所述多个接口装置被布置于两列,所述两列包含外部列与内部列,所述外部列朝向所述核心的外边缘,并且所述内部列位于所述外部列内并靠近所述核心的中心,所述内部列包含所述两种接口装置类型中的一种,而所述外部列包含所述两种接口装置类型中的另一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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