[发明专利]发光器件及其制造方法有效
申请号: | 201210022698.8 | 申请日: | 2012-01-20 |
公开(公告)号: | CN102623481A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 丁焕熙 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;郑小军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种发光器件,包括:支撑衬底;晶体管单元,设置在所述支撑衬底上表面的一侧;发光器件单元,设置在所述支撑衬底上表面的另一侧;以及绝缘层,设置在所述晶体管单元与所述发光器件单元之间以及所述支撑衬底与所述晶体管单元之间,用于将所述晶体管单元与所述发光器件单元隔离。本发明的发光器件单元与晶体管单元关联形成,从而使得晶体管单元和发光器件单元的制造工艺得以迅速且方便地执行,并且可以通过制成的晶体管单元来方便地控制发光器件单元。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:接合层,设置在支撑衬底上;绝缘层,设置在所述接合层上的一侧;晶体管单元,设置在所述绝缘层上;以及发光器件单元,设置在所述接合层上的另一侧,并且包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层,其中,所述晶体管单元和所述发光器件单元通过所述绝缘层彼此隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的