[发明专利]用于层转移的金属载体以及用于形成所述金属载体的方法

摘要

本发明涉及用于层转移的金属载体以及用于形成所述金属载体的方法。本发明的实施例涉及半导体结构以及形成所述半导体结构的方法。在一些实施例中，所述方法可以用于制造半导体衬底，通过以预定深度在施主结构中形成弱化地带，以限定连附表面和所述弱化地带之间的转移层以及所述弱化地带和与所述连附表面相对的表面之间的剩余施主结构。金属层形成在所述连附表面上，并且在所述金属层和所述转移层之间提供欧姆接触，为金属层提供匹配的热膨胀系数，其与所述转移层的热膨胀系数紧密匹配，并且提供足够的刚度以提供对于所述转移层的结构支撑。所述转移层在所述弱化地带处与所述施主结构分离，从而形成包括所述转移层和所述金属层的复合衬底。

主权项

一种制造半导体衬底的方法，包括：以预定深度在施主结构中形成弱化地带，以限定连附表面和所述弱化地带之间的转移层以及所述弱化地带和与所述连附表面相对的表面之间的剩余施主结构；在所述连附表面上形成金属层，其中所述金属层提供：所述金属层的匹配的热膨胀系数，其与所述转移层的热膨胀系数紧密匹配；以及足够的刚度，以提供对于所述转移层的结构支撑；以及使得所述转移层在所述弱化地带处与所述施主结构分离，从而形成包括所述转移层和所述金属层的复合衬底。