[发明专利]带有增强型源极-金属接头的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 201210022166.4 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102623501A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈军 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;张妍 |
| 地址： | 美国加利福尼亚桑*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成在具有衬底顶面的半导体衬底上的半导体器件，包含：一个从衬底顶面延伸到半导体衬底中的栅极沟槽；一个在栅极沟槽中的栅极电极；一个沉积在栅极电极上方的电介质材料；一个在栅极沟槽附近的本体区；一个嵌在本体区中的源极区，至少一部分源极区延伸到电介质材料上方；一个接触沟槽，使源极区和本体区之间能进行电气等接触；以及一个沉积在至少一部分栅极沟槽开口、至少一部分源极区以及至少一部分接触沟槽上方的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 增强 型源极 金属 接头 屏蔽 栅极 沟槽 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
一种形成在具有衬底顶面的半导体衬底上的半导体器件，其特征在于，其包含：一个从衬底顶面延伸到半导体衬底中的栅极沟槽；一个在栅极沟槽中的栅极电极；一个沉积在栅极电极上方的栅极顶部电介质材料；一个在栅极沟槽附近的本体区；一个嵌在本体区中的源极区，至少一部分源极区延伸到栅极顶部电介质材料上方；一个使源极区和本体区之间接触的接触沟槽；以及，一个沉积在至少一部分栅极沟槽开口、至少一部分源极区、以及至少一部分接触沟槽上方的金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万国半导体股份有限公司，未经万国半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210022166.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
