[发明专利]NAND闪存的固化代码的执行方法无效

专利信息
申请号: 201210017042.7 申请日: 2012-01-19
公开(公告)号: CN102609282A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 袁宏骏;孙纪坤;李相斌 申请(专利权)人: 苏州希图视鼎微电子有限公司
主分类号: G06F9/445 分类号: G06F9/445;G06F11/00;G06F11/10
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 陆明耀;姚姣阳
地址: 215021 江苏省苏州市苏州工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种NAND闪存的固化代码的执行方法,包括如下步骤:S1、启动固化代码以初始化NAND闪存,并为读取NAND闪存中的装载代码做准备。S2、读取并解析所述NAND闪存中的装载代码,所述装载代码在NAND闪存中可设置具备相同文件格式的一个或者多个,且所述装载代码不保存在有坏块的数据区中,当读取过程中某一数据区出现坏块时,忽略对该数据区的访问并跳到下一个数据区进行访问。本发明通过采用坏块忽略的方法保证数据的正确性,同时装载代码在闪存中可以保存一个或多个,保证在某一数据区出现坏块时可跳转到另一数据区进行数据的读取,从而确保了装载代码数据读取的正确性,且实现方法简单。
搜索关键词: nand 闪存 固化 代码 执行 方法
【主权项】:
一种NAND闪存的固化代码的执行方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:S1、启动固化代码以初始化NAND闪存,并为读取NAND闪存中的装载代码做准备;S2、读取并解析所述NAND闪存中的装载代码,其中,所述装载代码在NAND闪存中可设置具备相同文件格式的一个或者多个,且所述装载代码不保存在有坏块的数据区中,当读取过程中某一数据区出现坏块时,忽略对该数据区的访问并跳到下一个数据区进行访问。
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