[发明专利]NAND闪存的固化代码的执行方法

说明书

技术领域

本发明涉及SoC从NAND 闪存启动技术，尤其涉及一种NAND闪存的固化代码的执行方法。

背景技术

随着嵌入式系统的日趋复杂，实际项目对大容量数据存储的需求越来越紧迫。当前嵌入式设备低功耗、小体积以及低成本的要求也致使硬盘无法得到广泛的应用，而大容量闪存设备恰是为了满足当前这一需求而迅速发展起来。从闪存设备装载代码来启动嵌入式系统是一项基本且必要的Soc技术，如何解决Soc从闪存启动技术中的一些特定问题是目前业内的研究重点。

目前国际上成熟的Soc从闪存启动技术通常需要完成四个部分功能和过程：

第一步，首先Soc内部硬件固化的过程代码被执行，这段硬件固化的过程代码将对闪存进行基本的初始化，然后把闪存中的装载程序代码调入SoC内部的高速缓存中（如图1所示）；

第二步，片内高速缓存中的装载代码被执行，初始化内存并将启动代码从闪存拷贝到内存中（如图2所示）；

第三步，内存中的启动代码被执行，初始化外部系统及其相关设备，并将操作系统核心代码从NAND闪存拷贝到内存中（如图3所示）；

第四步，内存中的操作系统核心被执行，执行操作系统的控制任务（如图4所示）。

然而，NAND 闪存不同于其它存储设备，它的标准定义中允许有局部坏块，这些坏块散布在整个NAND闪存的不同位置，存在坏块的位置无法正确的进行数据访问。同时，大多数NAND闪存的硬件存在数据不可靠性的特征，不同厂商的不同型号NAND闪存对访问它的设备有数据纠错的要求，随着生产工艺日益发达，NAND闪存的容量增加，这种纠错的功能要求也越来越多。

有鉴于此，有必要提供一种新的NAND闪存的固化代码的执行方法来解决上述问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种NAND闪存的固化代码的执行方法。其通过采用坏块忽略的方法保证数据的正确性，同时装载代码在闪存中可以保存一个或多个，进而确保了装载代码数据读取的正确性。

为实现上述发明目的，本发明提供的一种NAND闪存的固化代码的执行方法，该方法包括如下步骤：

S1、启动固化代码以初始化NAND闪存，并为读取NAND闪存中的装载代码做准备。 

S2、读取并解析所述NAND闪存中的装载代码，所述装载代码在NAND闪存中可设置具备相同文件格式的一个或者多个，且所述装载代码不保存在有坏块的数据区中，当读取过程中某一数据区出现坏块时，忽略对该数据区的访问并跳到下一个数据区进行访问。

作为本发明的进一步改进，所述对装载代码的读取过程按照从后向前的顺序逐一访问，所述每一个数据区包括一物理数据区号和一逻辑数据区号，出现坏块的数据区的逻辑数据区号为空。

作为本发明的进一步改进，所述步骤S2中“读取装载代码”的还包括采用数据错误检测及数据纠错过程（ECC）对数据进行处理。

作为本发明的进一步改进，所述装载代码的文件格式包括：文件标识、文件标识起始标志、若干数据段、文件数据结束标志以及文件数据校验码。

作为本发明的进一步改进，所述数据段包括：数据长度信息、数据类型信息、数据段地址信息以及数据内容或数据表单内容。

作为本发明的进一步改进，所述固化代码支持NAND闪存行业标准ONFI 2.0（Open NAND Flash Interface 2.0）。

作为本发明的进一步改进，所述固化代码参数保存于一系统参数表中，所述系统参数表的参数获取方式包括搜索固化代码内部NAND闪存设备参数表、或者从支持ONFI 2.0标准的NAND闪存获取、或者读取NAND闪存首页保存的参数表。

作为本发明的进一步改进，所述固化代码中包括一保存多种型号NAND闪存参数的设备参数表，且固化代码支持设备参数表中保存的各型号NAND闪存。

作为本发明的进一步改进，所述设备参数表中为每一种型号的NAND分别配置唯一的ID。

与现有技术相比，本发明通过采用坏块忽略的方法保证数据的正确性，同时装载代码在闪存中可以保存一个或多个，保证在某一数据区出现坏块时可跳转到另一数据区进行数据的读取，从而确保了装载代码数据读取的正确性，且实现方法简单。

附图说明

图1是现有技术中Soc从闪存启动的步骤一的工作原理示意图；

图2是现有技术中Soc从闪存启动的步骤二的工作原理示意图；

图3是现有技术中Soc从闪存启动的步骤三的工作原理示意图；