[发明专利]发光器件及发光器件封装件有效
申请号: | 201210016849.9 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN102956664B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 丁焕熙 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/40 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 蔡胜有,董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种发光器件,包括包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构;在第一发光结构下的第一反射电极;包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构;在第二发光结构下的第二反射电极;将第一发光结构的第一导电型第一半导体层电连接至第二反射电极的接触部;以及在接触部与第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:包括第一导电型第一半导体层、在所述第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在所述第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构;在所述第一发光结构下的第一反射电极;包括第一导电型第三半导体层、在所述第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在所述第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构;在所述第二发光结构下的第二反射电极;在所述第一发光结构和所述第二发光结构下的支撑基板;将所述第一发光结构的所述第一导电型第一半导体层电连接至所述第二反射电极的接触部;以及在所述接触部与所述第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层,其中所述接触部与所述第一导电型第一半导体层的内部接触,其中所述接触部与所述第二反射电极的下部和侧面直接接触,以及其中所述支撑基板、所述第一反射电极、所述第一发光结构、所述接触部、所述第二反射电极、所述第二发光结构串联连接,使得通过所述支撑基板和电连接至所述第二发光结构的电极对串联的所述第一发光结构和所述第二发光结构供电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的