[发明专利]用于内部稀薄气流模拟验证及压力检测的变结构真空腔室有效
申请号: | 201210016664.8 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN102610543A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 程嘉;王人成;季林红;刘伟峰;王春财;林嘉;孙钰淳;郝道欣 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 张文宝 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 用于内部稀薄气流模拟验证及压力检测的变结构真空腔室属于半导体制造设备设计技术领域。包括上盖、匀气盘、腔体、可替换内衬、内衬支架、基座、排气装置、流场检测空间以及气压检测引管,所述流场检测空间为圆柱形,圆柱体的直径可通过更换所述可替换内衬进行调节,圆柱体的高度可通过基座的升降进行调节,进而改变所述流场检测空间的结构尺寸。该结构可用于进行刻蚀、等离子体增强/化学气相沉积(PE/CVD)、物理气相沉积(PVD)以及氧化扩散工艺等具有腔室类共同特点的低压气相加工工艺试验。可以检测不同结构腔室内部空间及各气路上的压力参数,研究低压气相加工工艺中各项参数的影响规律,并可显著提高IC装备腔室部件优化设计的可信度。 | ||
搜索关键词: | 用于 内部 稀薄 气流 模拟 验证 压力 检测 结构 空腔 | ||
【主权项】:
一种用于内部稀薄气流模拟验证及压力检测的变结构真空腔室,包括上盖(10)、匀气盘(20)、腔体(30)、可替换内衬(40)、内衬支架(50)、基座(60)、排气装置(70)以及气压检测引管(100),其特征在于:所述腔体(30)的上端敞开,与上盖(10)连接;腔体(30)的内底面边缘处开孔,并通过管道与排气装置(70)连接;腔体(30)的内底面中心位置开孔,并安装高度可调的基座(60),基座(60)通过升降装置(61)与腔体(30)连接;腔体(30)的内底面上、边缘处孔洞的内侧设置圆环形的内衬支架(50);所述内衬支架(50)上设置多个以腔体(30)中心为圆心、不同半径的内衬挡槽;所述可替换内衬(40)为圆筒形,安装在内衬支架(50)的内衬档槽内;所述基座(60)与可替换内衬(40)或内衬支架(50)之间有环隙;所述可替换内衬(40)的上端设置与上盖(10)的下表面连接的匀气盘(20);匀气盘(20)上设置出气孔;所述上盖(10)上设置与匀气盘(20)的内腔连通的进气通道;所述匀气盘(20)、可替换内衬(40)与基座(60)之间构成结构尺寸可变的流场检测空间(80);所述内衬支架(50)的下部设置一个侧孔(54);所述流场检测空间(80)内设置气压检测引管(100)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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