[发明专利]多值存储电路的读取电路及读取方法无效
| 申请号： | 201210016651.0 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102543147A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王源;高晓敏;何燕东;杜刚;康晋锋;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G11C7/08 | 分类号： | G11C7/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多值存储电路的读取电路及读取方法，包括：第一灵敏放大器、第二灵敏放大器、第三灵敏放大器、n型MOS晶体管和p型MOS晶体管；所述第一灵敏放大器、第二灵敏放大器和第三灵敏放大器分别接收选中单元和不同参考单元的信号，所述第二灵敏放大器的输出端输出MSB信号，所述n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的栅极接收MSB信号，所述第一灵敏放大器的输出端连接n型MOS晶体管的源极，所述第三灵敏放大器的输出端连接p型MOS晶体管的源极，所述n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的漏极并联输出LSB信号。与现有的并行读取电路相比，本发明具有面积小、读容限大的优点，与现有的串行电路相比，本发明具有结构简单、速度快、功耗低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 电路 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种多值存储电路的读取电路，其特征在于，包括：第一灵敏放大器、第二灵敏放大器、第三灵敏放大器、n型MOS晶体管和p型MOS晶体管；所述第一灵敏放大器分别接收选中单元和第一参考单元的信号，第二灵敏放大器分别接收选中单元和第二参考单元的信号，第三灵敏放大器分别接收选中单元和第三参考单元的信号，所述第二灵敏放大器的输出端输出MSB信号，所述n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的栅极接收MSB信号，所述第一灵敏放大器的输出端连接n型MOS晶体管的源极，所述第三灵敏放大器的输出端连接p型MOS晶体管的源极，所述n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的漏极并联输出LSB信号。
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