[发明专利]多值存储电路的读取电路及读取方法

权利要求书

1.一种多值存储电路的读取电路，其特征在于，包括：第一灵敏放大器、第二灵敏放大器、第三灵敏放大器、n型MOS晶体管和p型MOS晶体管；所述第一灵敏放大器分别接收选中单元和第一参考单元的信号，第二灵敏放大器分别接收选中单元和第二参考单元的信号，第三灵敏放大器分别接收选中单元和第三参考单元的信号，所述第二灵敏放大器的输出端输出MSB信号，所述n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的栅极接收MSB信号，所述第一灵敏放大器的输出端连接n型MOS晶体管的源极，所述第三灵敏放大器的输出端连接p型MOS晶体管的源极，所述n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的漏极并联输出LSB信号。

2.如权利要求1所述的多值存储电路的读取电路，其特征在于，所述第一灵敏放大器、第二灵敏放大器和第三灵敏放大器均包括：p型MOS晶体管PM、PM1、PM2、PM3、PM4，和n型MOS晶体管NM、NM1、NM2，其中，PM1、PM2的源极分别接收选中单元和参考单元的信号，PM1的漏极连接PM2、NM1的源极和PM3、NM2的栅极，PM2的漏极连接PM3、NM2的源极和PM2、NM1的栅极，PM2、PM3的漏极并联连接PM的源极，NM1、NM2的漏极并联连接NM的源极，NM的漏极输出放大信号，PM的漏极接工作电压，PM、PM1、PM2和NM的栅极接收使能信号。

3.一种利用权利要求1-2中任一项所述电路对多值存储电路进行读取的方法，其特征在于，包括以下步骤：

A：选中单元的信号分别与第一参考单元、第二参考单元和第三参考单元的信号进行比较；

B：选中单元与第一参考单元、第三参考单元的比较结果分别经第一灵敏放大器、第三灵敏放大器得到两路信号；

C：选中单元与第二参考单元的比较结果经第二灵敏放大器得到MSB信号；

D：若MSB为高电平，则将选中单元与第一参考单元比较结果输出作为LSB信号；否则，将选中单元与第三参考单元比较结果输出作为LSB信号。

4.如权利要求3所述的对多值存储电路进行读取的方法，其特征在于，还包括：通过控制第一灵敏放大器、第二灵敏放大器和第三灵敏放大器的使能信号，使得选中单元与第一参考单元及第三参考单元的比较结果的输出先于选中单元与第二参考单元的比较结果MSB的输出的步骤。