[发明专利]具有大而均匀的电流的大阵列上指PIN二极管及其形成方法

摘要

本发明公开了一种沉积硅、锗、或硅锗形成的上指PIN二极管。该二极管具有底层重掺杂P型区、中间本征或轻掺杂区和上层重掺杂N型区。上层重掺杂P型区掺杂砷，并且二极管的半导体材料在接触合适的硅化物、锗化物或硅锗化物时被结晶。可以形成大阵列的此上指二极管，当在二极管上施加大于导通电压的电压时，穿过该阵列的电流均匀性极佳。该二极管可以有利地用于单片三维存储器阵列中。本发明还公开了形成大量上指PIN二极管的方法和许多其他方面。

主权项

一种存储器阵列，包括：第一存储器级，其包括：第一二极管；以及与所述第一二极管串联连接的第一电阻率转换材料层；在所述第一存储器级上的第二存储器级，所述第二存储器级包括：第二二极管；以及与所述第二二极管串联连接的第二电阻率转换材料层；以及在所述第一存储器级和第二存储器级之间共享的导体，其中所述第一电阻率转换材料层和第二电阻率转换材料层每个都包括NixOy、NbxOy、TixOy、HfxOy、AlxOy、MgxOy、CoxOy、CrxOy、VxOy、ZnxOy、ZrxOy、BxNy和AlxNy中的一种或多种。