[发明专利]磁阻随机存取存储器(MRAM)器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210011659.8 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102956815A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 唐邦泰;蔡正原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括：图案化多个磁隧道结(MTJ)层以形成MTJ单元；在MTJ单元的顶面上方及其侧壁上形成介电保护层；在相同的真空环境中原位实施图案化的步骤以及形成介电保护层的步骤；在介电保护层上实施等离子处理以将介电保护层转变成处理过的介电保护层，由此，处理过的介电保护层改进了对H2O或O2以及因此引起的退化的防护。本发明还提供了一种磁阻随机存取存储器(MRAM)器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 mram 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：图案化多个磁隧道结(MTJ)层以形成MTJ单元；在所述MTJ单元的顶面上方及其侧壁上形成介电保护层；实施处理以将所述介电保护层转变成处理过的介电保护层，其中，所述处理包括含氮气的气体；以及在所述处理过的介电保护层上方形成介电层。
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