[发明专利]磁阻随机存取存储器(MRAM)器件及其制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

图案化多个磁隧道结(MTJ)层以形成MTJ单元；

在所述MTJ单元的顶面上方及其侧壁上形成介电保护层；

实施处理以将所述介电保护层转变成处理过的介电保护层，其中，所述处理包括含氮气的气体；以及

在所述处理过的介电保护层上方形成介电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电保护层是氮化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理是采用包含N₂的气体实施的等离子处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含氮气的气体不包含氧气或氢气。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过游离基喷淋化学汽相沉积(RSCVD)，采用小于或者等于约的沉积速率形成所述介电保护层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在范围处于约200℃至约300℃之间的温度下形成所述介电保护层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在游离基喷淋化学汽相沉积(RSCVD)装置中实施形成介电保护层的步骤和实施所述处理的步骤，并且在两个步骤之间不存在真空破坏。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述MTJ单元上方形成顶部电极层；

图案化所述顶部电极层以形成顶部电极，其中，使用相同的掩模图案化所述顶部电极层和所述MTJ层，并且其中，所述顶部电极位于所述处理过的介电保护层下方；以及

蚀刻所述介电层以及所述处理过的介电保护层来暴露所述顶部电极。

9.一种用于形成磁矩随机存取存储器(MRAM)器件的方法，包括：

提供具有多个磁隧道结(MTJ)层的衬底；

图案化所述多个磁隧道结(MTJ)层以形成MTJ单元；

在所述MTJ单元的顶面上方及其侧壁上形成氮化硅层，其中，所述氮化硅层的密度大于约2.4g/cm³；以及

采用包含N₂的气体对所述氮化硅层实施等离子处理。

10.一种器件，包括：

磁隧道结(MTJ)单元；

介电保护层，与所述MTJ单元的侧壁物理接触，其中，所述介电保护层的密度大于约2.4g/cm³；以及

介电层，位于所述介电保护层的顶面和侧壁上方，并接触所述介电保护层的顶面和侧壁。