[发明专利]一种用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210009556.8 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN103094121A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | M.佩尔兹尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 提供一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括提供具有水平表面（15）的半导体本体（40）。在水平表面（15）上形成外延硬掩膜。通过相对于外延硬掩膜在水平表面（15）上选择性外延形成外延区域（2a，3），使得外延区域（2a，3）适应于外延硬掩膜。在半导体本体（40）中形成垂直沟槽（18，19）。在垂直沟槽（18，19）的下部形成绝缘场板（12）且在绝缘场板（12）上方形成绝缘栅电极（11）。而且，提供一种用于形成场效应半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法,包括：提供具有水平表面（15）的半导体本体（40）；在水平表面（15）上形成外延硬掩膜；通过相对于外延硬掩膜在水平表面（15）上选择性外延形成外延区域（2a，3），使得外延区域（2a，3）适应于外延硬掩膜；形成从水平表面（15）到半导体本体（40）中的垂直沟槽（18，19）；在垂直沟槽（18，19）的下部形成绝缘场板（12），包括形成场氧化物；以及在绝缘场板（12）上方形成绝缘栅电极（11），使得场氧化物在垂直方向向上延伸到外延区域（2a，3）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
