[发明专利]在玻璃基板上制备BiFeO3铁电薄膜光伏电池的方法无效
申请号: | 201210009273.3 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN102544216A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 郭益平;郭兵;李华;刘河洲 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C14/16;C23C14/34 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 林君如 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及在玻璃基板上制备BiFeO3铁电薄膜光伏电池的方法,选择玻璃作为基底,通过化学溶液沉积法制备钙钛矿结构BiFeO3铁电薄膜,然后通过物理溅射法在薄膜上制备0.5mm*0.5mm顶部电极即可。与现有技术相比,本发明能够以低的成本在玻璃基板上制备出一致性高,重复性好的具有钙钛矿结构的BiFeO3铁电光伏薄膜。所制备的薄膜具有优越的光伏特性并具有二极管的单向导电特性,这些优越的特性可使BiFeO3铁电薄膜在光伏电池及光电子器件领域中获得应用。 | ||
搜索关键词: | 玻璃 基板上 制备 bifeo sub 薄膜 电池 方法 | ||
【主权项】:
在玻璃基板上制备BiFeO3铁电薄膜光伏电池的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)BFO前驱体溶液的配制将Bi(NO3)3·5H2O和Fe(NO3)3·9H2O按摩尔比1∶1的比例完全溶于乙二醇甲醚,获得棕红色澄清透明且稳定前驱体溶液;(2)BFO铁电薄膜的制备以玻璃基板为基底,通过化学溶液沉积法制备得到BFO铁电薄膜;(3)上电极的制备在带有0.5mm*0.5mm方孔的掩膜板的遮挡下物理溅射方法在BFO铁电薄膜上沉积0.5mm*0.5mm的电极即可。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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