[发明专利]一种低介电常数压敏电阻材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210007305.6 | 申请日： | 2012-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102557612A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王小波;冯志刚;贾广平 | 申请（专利权）人： | 深圳顺络电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518110 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介电常数压敏电阻材料，包括：90~97%的ZnO；0.1~3%的Bi2O3；0.1~3%的Sb2O3；0.1~2%的Cr2O3；0.1~1.5%的MnO2；0.1~1.5%的Co2O3；0.1~1%的Ni2O3；0.1~0.8%的H3BO3；0.1~0.8%的AgNO3；0.1-0.3%的Al2(NO3)3.9H2O；前述的百分比均为摩尔比。与现有技术相比，利用本发明的电阻材料制作的压敏电阻的介电常数能够控制在30-120之内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 压敏电阻 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低介电常数压敏电阻材料，其特征在于包括：90~97%的ZnO；0.1~3%的Bi2O3；0.1~3%的Sb2O3；0.1~2%的Cr2O3；0.1~1.5%的MnO2或MnCO3；0.1~1.5%的Co2O3；0.1~1%的Ni2O3或NiO；0.1~0.8%的H3BO3或B2O3； 0.001~0.8%的AgNO3；0.001‑0.3%的Al2(NO3)3.9H2O；前述的百分比均为摩尔比。
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