[发明专利]一种原子层沉积装置有效
申请号: | 201210001350.0 | 申请日: | 2012-01-04 |
公开(公告)号: | CN102677022A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 陈强;杨丽珍;王正铎;桑利军;刘忠伟;张受业 | 申请(专利权)人: | 北京印刷学院 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 102600 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种原子层沉积装置属于等离子体应用技术领域,涉及一种阵列式空心阴极结构的等离子体发生装置。该装置包括配气系统(1)、真空腔室(2)、阵列式空心阴极上电极(3)、平板式接地下电极(4)、抽真空系统(5)、电源系统(6),所述阵列式空心阴极上电极(3)带有多个均匀分布的直径范围为1-3mm的通孔,相邻的孔的间距为2-4mm,阵列式空心阴极上电极(3)与平板式接地下电极(4)之间的间距为5-20mm,阵列式空心电极(3)连接配气系统(1)的供气管道。该装置降低等离子体温度,改善其他一些等离子体参数,从而提高沉积效率,并优化所沉积材料的微观结构和性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种原子层沉积装置,其特征在于:该装置包括配气系统(1)、真空腔室(2)、阵列式空心阴极上电极(3)、平板式接地下电极(4)、抽真空系统(5)、电源系统(6),所述阵列式空心阴极上电极(3)带有多个均匀分布的直径范围为1‑3mm的通孔,相邻的孔的间距为2‑4mm,阵列式空心阴极上电极(3)与平板式接地下电极(4)之间的间距为5‑20mm,阵列式空心电极(3)连接配气系统(1)的供气管道。所述式空心阴极阵列电极(3)的接线柱连接到所述电源系统(6)的高压电极一端,并与所述装置的真空腔室、平板式接地下电极保持绝缘,所述电源系统(6)的接地端连接到所述真空腔室(2)和所述平板电极(4)上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的