[发明专利]宏晶体管器件

摘要

公开了宏晶体管结构。在某些情况下，所述宏晶体管结构具有类似于长沟道晶体管的相同数量的端子和特性，但是适合于深亚微米技术深亚微米工艺节点下的模拟电路。例如利用串联构造和布置的多个晶体管并且其中它们的栅极连结在一起能够实施宏晶体管结构，本文中通常被称为晶体管堆叠。利用多个并联的晶体管能够实施所述堆叠内的所述串联的晶体管中的一个或多个晶体管和/或所述堆叠内的所述串联的晶体管中的一个或多个晶体管能够具有不同于所述堆叠中的其它晶体管的所述阈值电压的阈值电压。或者，能够静态地或动态地控制所述宏晶体管内的所述串联的晶体管中的一个或多个晶体管以调谐所述宏晶体管的性能特征。所述宏晶体管结构能够用于诸如变容管、VCO、PLL、以及可调谐的电路之类的许多电路中。

主权项

一种半导体集成电路，包括:多个晶体管，所述多个晶体管中的每一个晶体管都具有源极、漏极和栅极，所述晶体管串联电连接并且所述晶体管的相应的栅极连结在一起，其中，所述晶体管中的至少一个晶体管将退化提供至其它晶体管中的至少一个晶体管。