[发明专利]等离子体处理装置用天线及使用该天线的等离子体处理装置无效

专利信息
申请号: 201180073203.8 申请日: 2011-08-30
公开(公告)号: CN103766004A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 节原裕一;江部明宪 申请(专利权)人: 株式会社EMD
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;C23C16/44;C23C16/509;H01L21/205;H01L21/3065
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种即使薄膜材料附着于表面,也能够抑制高频感应电场的屏蔽或强度的衰减的高频天线。高频天线(10)包括:线状的天线导体(13);介电体制保护管(14),其设置于天线导体(13)的周围;以及堆积物屏(15),其是设置于介电体制保护管(14)的周围的屏,在天线导体(13)的长度方向的任意的线上,覆盖介电体制保护管(14)的至少1处且具有至少1个开口(153)。虽然薄膜材料附着于保护管及堆积物屏的表面,但是在天线导体的长度方向的至少1处中断。因此,在薄膜材料具有导电性的情况下,能够防止高频感应电场被屏蔽,在不具有导电性的情况下,能够抑制高频感应电场的强度衰减。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 天线 使用
【主权项】:
一种高频天线,其配置于真空容器内,并通过使高频电流在该高频天线中流动而在该真空容器内产生高频感应电场,从而使被导入到该真空容器内的等离子体产生气体等离子体化,该高频天线的特征在于,其包括:a)线状的天线导体;b)介电体制的保护管,其设置于上述天线导体的周围;以及c)堆积物屏,其是设置于上述保护管的周围的屏,在上述天线导体的长度方向的任意的线上,其覆盖上述保护管的至少1处且具有至少1处开口。
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