[发明专利]等离子体处理装置用天线及使用该天线的等离子体处理装置

权利要求书

1.一种高频天线，其配置于真空容器内，并通过使高频电流在该高频天线中流动而在该真空容器内产生高频感应电场，从而使被导入到该真空容器内的等离子体产生气体等离子体化，该高频天线的特征在于，其包括：

a）线状的天线导体；

b）介电体制的保护管，其设置于上述天线导体的周围；以及

c）堆积物屏，其是设置于上述保护管的周围的屏，在上述天线导体的长度方向的任意的线上，其覆盖上述保护管的至少1处且具有至少1处开口。

2.根据权利要求1所述的高频天线，其特征在于，

上述堆积物屏在上述保护管的长度方向的局部中断。

3.根据权利要求1所述的高频天线，其特征在于，

上述堆积物屏是将带状的构件设为沿着上述保护管的长度方向呈螺旋状，并在带与带之间空有间隔而成的屏。

4.根据权利要求1所述的高频天线，其特征在于，

上述堆积物屏是在管状的构件上使许多孔以周向的位置错开的方式在长度方向排列而成的屏，该孔是在该管的周向上较长的形状。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的高频天线，其特征在于，

在上述堆积物屏与上述保护管之间具有区隔部，该区隔部从该保护管突出，并绕该保护管的周围1圈。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的高频天线，其特征在于，

在上述堆积物屏与上述保护管之间具有区隔部，该区隔部从该保护管突出，并沿着该保护管的长度方向呈螺旋状延伸。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的高频天线，其特征在于，

上述天线导体是圈数未满1圈的感应耦合天线。

8.根据权利要求7所述的高频天线，其特征在于，

上述天线导体呈U字形。

9.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

a）真空容器；

b）靶保持部件，其设置于上述真空容器内；

c）基板保持部件，其被设置成与上述靶保持部件相对；

d）等离子体产生气体导入部件，其用于向上述真空容器内导入等离子体产生气体；

e）电场产生部件，其用于在包括被上述靶保持部件所保持的靶的表面在内的区域产生溅射用的直流电场或高频电场；以及

f）权利要求1～8中任一项所述的高频天线，其配置于上述真空容器内，用于在包括被上述靶保持部件所保持的靶的表面在内的区域产生高频感应电场。

10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，

具有磁场产生部件，该磁场产生部件在包括上述靶的表面在内的区域产生具有与上述直流电场或高频电场正交的成分的磁场。

11.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

a）真空容器；

b）基板保持部件，其设置于上述真空容器内；

c）多个如权利要求1～8中任一项所述的高频天线，其设置于上述真空容器内；

d）等离子体产生气体导入部件，其用于向上述真空容器内导入等离子体产生气体；以及

e）原料气体导入部件，其用于向上述真空容器内导入作为薄膜原料的气体。

12.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

a）真空容器；

b）基体保持部件，其设置于上述真空容器内；

c）多个如权利要求1～8中任一项所述的高频天线，其设置于上述真空容器内；

d）等离子体产生气体导入部件，其用于向上述真空容器内导入等离子体产生气体；以及

e）蚀刻处理气体导入部件，其用于向上述真空容器内导入蚀刻处理所使用的气体。