[发明专利]溅射设备和用于形成发光器件的透射导电层的方法

摘要

根据本发明的一个方面，提供了一种用于制造氮化物半导体发光器件的方法以及由此制造的氮化物半导体发光器件。所述用于制造氮化物半导体发光器件的方法包括步骤：在衬底上形成第一和第二导电类型氮化物半导体层，以形成包括有位于第一和第二导电类型氮化物半导体层之间的有源层的发光结构；按顺序形成第一导电类型氮化物半导体层、有源层以及第二导电类型氮化物半导体层；形成连接到第一导电类型氮化物半导体层的第一电极；在第二导电类型氮化物半导体层上形成光刻胶膜以暴露出部分第二导电类型氮化物半导体层；以及在将用作第二电极的反射金属层和阻挡层顺序形成在被光刻胶膜暴露出来的第二导电类型氮化物半导体层上之后去除光刻胶膜。

主权项

一种用于形成发光器件的透射导电层的溅射设备，包括：腔室；靶容纳单元，其布置在所述腔室的一个内壁上；衬底容纳单元，其与所述靶容纳单元相对形成；以及由两层或更多层金属网形成的过滤器，其位于所述靶容纳单元和所述衬底容纳单元之间。