[发明专利]双平面存储器阵列

摘要

一种存储器阵列具有多个导体结构。每个导体结构具有在第一方向上延伸的顶导线段，在与所述第一方向成一个角度的第二方向上延伸的中间导线段，在与所述第一方向相反的方向上延伸的底导线段，以及连接所述顶导线段、所述中间导线段和所述底导线段的通孔。所述存储器阵列的上平面中的多个存储单元形成在每个导体结构的所述中间导线段与邻近的导体结构的所述顶导线段的交叉处，并且下平面中的多个存储单元形成在每个导体结构的所述中间导线段与邻近的导体结构的所述底导线段的交叉处。

主权项

一种存储器阵列，包括：多个导体结构，每个导体结构具有在第一方向上延伸的顶导线段、在与所述第一方向成角度的第二方向上延伸的中间导线段、在与所述第一方向相反的方向上延伸的底导线段、以及连接所述顶导线段、所述中间导线段和所述底导线段的通孔；在上平面中形成在每个导体结构的所述中间导线段与邻近的导体结构的所述顶导线段的交叉点处的多个存储单元；以及在下平面中形成在每个导体结构的所述中间导线段与邻近的导体结构的所述底导线段的交叉处的多个存储单元。