[发明专利]电阻变化存储器有效

专利信息
申请号: 201180068942.8 申请日: 2011-09-16
公开(公告)号: CN103415888A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 市原玲华;松下大介;藤井章辅 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 杨晓光;于静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 根据一个实施例,电阻变化存储器包括存储器单元和控制电路。所述存储器单元包括第一电极和第二电极,以及置于所述第一电极与所述第二电极之间的可变电阻层。所述控制电路在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压以执行写入、擦除和读取。在所述写入期间,所述控制电路在所述第一电极与所述第二电极之间施加第一电压脉冲,然后在施加所述第一电压脉冲之后,施加与所述第一电压脉冲极性不同的第二电压脉冲。
搜索关键词: 电阻 变化 存储器
【主权项】:
一种电阻变化存储器,包括:存储器单元,其包括第一电极和第二电极,以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的可变电阻层;以及控制电路,其在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压以执行写入、擦除和读取,其中在所述写入期间,所述控制电路在所述第一电极与所述第二电极之间施加第一电压脉冲,然后在施加所述第一电压脉冲之后,施加与所述第一电压脉冲极性不同的第二电压脉冲。
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