[发明专利]电阻变化存储器

权利要求书

1.一种电阻变化存储器，包括：

存储器单元，其包括第一电极和第二电极，以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的可变电阻层；以及

控制电路，其在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压以执行写入、擦除和读取，

其中在所述写入期间，所述控制电路在所述第一电极与所述第二电极之间施加第一电压脉冲，然后在施加所述第一电压脉冲之后，施加与所述第一电压脉冲极性不同的第二电压脉冲。

2.根据权利要求1的电阻变化存储器，其中

在所述擦除期间，所述控制电路在所述第一电极与所述第二电极之间施加第三电压脉冲，所述第三电压脉冲具有与所述第二电压脉冲相同的极性，所述第三电压脉冲的脉冲幅度和脉冲宽度中的至少一者大于所述第二电压脉冲的脉冲幅度和脉冲宽度中的至少一者。

3.根据权利要求1的电阻变化存储器，其中

在所述读取期间，所述控制电路在所述第一电极与所述第二电极之间施加第四电压脉冲，所述第四电压脉冲具有与所述第一电压脉冲相同的极性，所述第四电压脉冲的脉冲幅度和脉冲宽度中的至少一者大于所述第一电压脉冲的脉冲幅度和脉冲宽度中的至少一者。

4.根据权利要求3的电阻变化存储器，其中

在所述读取期间，所述控制电路在施加所述第四电压脉冲之后，在所述第一电极与所述第二电极之间施加所述第二电压脉冲。

5.根据权利要求1的电阻变化存储器，其中

所述可变电阻层包括导通状态、关断状态和中间状态中的一者，所述关断状态下的电阻大于所述导通状态下的电阻，所述中间状态下的电阻大于所述导通状态下的电阻。

6.根据权利要求5的电阻变化存储器，其中

所述中间状态下的电阻小于或等于所述关断状态下的电阻。

7.根据权利要求5的电阻变化存储器，其中

所述可变电阻层包括设置在所述第一电极与所述第二电极之间的丝状物。

8.根据权利要求7的电阻变化存储器，其中

所述丝状物在所述导通状态下比在所述关断状态下至少更长或更粗。

9.根据权利要求1的电阻变化存储器，其中

所述可变电阻层包括绝缘体。

10.根据权利要求1的电阻变化存储器，其中

所述可变电阻层包括非晶硅、多晶硅和金属硫化物中的至少一者。

11.根据权利要求1的电阻变化存储器，进一步包括

被布置为相互交叉的字线和位线，

其中所述存储器单元被设置在所述字线与所述位线的交叉处。

12.一种电阻变化存储器，包括：

第一电极和第二电极；

可变电阻层，其被设置在所述第一电极与所述第二电极之间；以及

控制电路，其在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压，

其中所述可变电阻层包括导通状态、关断状态和中间状态中的一者，所述关断状态下的电阻大于所述导通状态下的所述电阻，所述中间状态下的电阻大于所述导通状态下的电阻，以及

当所述控制电路施加第一电压脉冲时，所述可变电阻层转变到所述导通状态，当所述控制电路施加与所述第一电压脉冲极性不同的第二电压脉冲时，处于所述导通状态的所述可变电阻层转变到所述中间状态，

当所述控制电路施加第三电压脉冲时，处于所述中间状态的所述可变电阻层转变到所述关断状态，所述第三电压脉冲的脉冲幅度和脉冲宽度中的至少一者大于所述第二电压脉冲的脉冲幅度和脉冲宽度中的至少一者，以及

当所述控制电路施加第四电压脉冲时，处于所述中间状态的所述可变电阻层转变到所述导通状态，所述第四电压脉冲的脉冲幅度和脉冲宽度的乘积小于所述第一电压脉冲的脉冲幅度和脉冲宽度的乘积。

13.根据权利要求12的电阻变化存储器，其中

在读取操作期间，所述控制电路在所述第一电极与所述第二电极之间施加第五电压脉冲，所述第五电压脉冲具有与所述第一电压脉冲相同的极性，所述第五电压脉冲的脉冲幅度和脉冲宽度的乘积小于所述第一电压脉冲的脉冲幅度和脉冲宽度的乘积。

14.根据权利要求13的电阻变化存储器，其中

在所述读取操作期间，所述控制电路在施加所述第五电压脉冲之后，在所述第一电极与所述第二电极之间施加所述第二电压脉冲。