[发明专利]非易失性存储器单元阵列

摘要

本发明揭示一种每单位单元包含五个存储器单元的非易失性存储器单元阵列。本发明还揭示一种包含五个存储器单元的经垂直堆叠的非易失性存储器单元层阵列，所述五个存储器单元占据所述层中的个别层内的4F的连续水平面积。本发明还揭示一种包括多个单位单元的非易失性存储器单元阵列，所述多个单位单元个别地包括可编程材料的三个竖直区，所述三个竖直区包括所述单位单元的至少三个不同存储器单元的所述可编程材料。本发明还揭示一种包含连续体积的经垂直堆叠的非易失性存储器单元层阵列，所述连续体积具有多个经垂直定向的存储器单元与多个经水平定向的存储器单元的组合。本发明揭示其它实施例及方面。

主权项

一种包括单位单元的重复的非易失性存储器单元阵列，所述单位单元是体现所述阵列的晶格的所有结构特性且通过三维重复构成所述阵列的晶格的最简单多面体，所述阵列包含多个单位单元，所述多个单位单元个别地包括三个非重叠竖直区，所述三个非重叠竖直区中的每个包含可编程材料，所述三个非重叠竖直区包括所述单位单元的至少三个不同存储器单元的所述可编程材料，所述至少三个不同存储器单元包含经垂直定向的和经水平定向的存储器单元。