[发明专利]光电转换元件

摘要

[问题]一种光电转换元件，包括光电转换层，且使密着性提高，所述光电转换层藉由蒸镀法而形成于包含过渡金属的导电层上。[解决方案]光电转换元件（1）于基板（10）上具有包含过渡金属元素的导电层（20）、包含化合物半导体的光电转换层（30）、以及透明电极（60）的积层构造，所述化合物半导体含有Ib族元素、IIIb族元素及VIb族元素，光电转换元件（1）采用如下的构成，即，于导电层（20）与光电转换层（30）之间包括过渡金属二硫属化物薄膜（25），该过渡金属二硫属化物薄膜（25）包含过渡金属元素与VIb族元素。构成所述过渡金属二硫属化物薄膜（25）的多个微结晶（25a）中，c轴为大致垂直地形成于导电层（20）的表面的微结晶于形成有薄膜的导电层（20）的表面所占的比例设为80%以下。

主权项

一种光电转换元件，于基板上具有包含过渡金属元素的导电层、包含化合物半导体的光电转换层以及透明电极的积层构造，所述化合物半导体含有Ib族元素、IIIb族元素及VIb族元素，其特征在于：于所述导电层与所述光电转换层之间包括过渡金属二硫属化物薄膜，所述过渡金属二硫属化物薄膜包含所述过渡金属元素与所述VIb族元素，所述过渡金属二硫属化物薄膜包含多个微结晶，所述多个微结晶中，c轴为大致垂直地形成于所述导电层的表面的微结晶于形成有所述薄膜的导电层的表面所占的比例为80%以下。