[发明专利]光电转换元件

权利要求书

1.一种光电转换元件，于基板上具有包含过渡金属元素的导电层、包含化合物半导体的光电转换层以及透明电极的积层构造，所述化合物半导体含有Ib族元素、IIIb族元素及VIb族元素，其特征在于：

于所述导电层与所述光电转换层之间包括过渡金属二硫属化物薄膜，所述过渡金属二硫属化物薄膜包含所述过渡金属元素与所述VIb族元素，

所述过渡金属二硫属化物薄膜包含多个微结晶，所述多个微结晶中，c轴为大致垂直地形成于所述导电层的表面的微结晶于形成有所述薄膜的导电层的表面所占的比例为80%以下。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，所述导电层包含经取向的多晶薄膜，所述经取向的多晶薄膜于表面具有规定的面，膜厚方向的面间隔为块状结晶的面间隔以下。

3.根据权利要求2所述的光电转换元件，其特征在于，所述规定的面为（110）。

4.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，所述导电层的表层的至少一部分包含薄膜，所述薄膜包含未取向的微结晶。

5.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，所述导电层的表层的至少一部分已氧化或氮化。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的光电转换元件，其特征在于，所述过渡金属元素为Mo。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的光电转换元件，其特征在于，所述Ib族元素为Cu，所述IIIb族元素为选自包含Al、Ga以及In的群组的至少一种元素，所述VIb族元素为Se。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的光电转换元件，其特征在于，所述过渡金属二硫属化物薄膜为MoSe₂薄膜。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的光电转换元件，其特征在于，所述基板为阳极氧化基板，所述阳极氧化基板为选自包含

于Al基材的至少一个面侧形成有Al₂O₃阳极氧化膜的阳极氧化基板、

于复合基材的至少一个面侧形成有Al₂O₃阳极氧化膜，所述复合基材于Fe材料的至少一个面侧复合有Al材料的阳极氧化基板、

以及于基材的至少一个面侧形成有Al₂O₃阳极氧化膜，所述基材于Fe材料的至少一个面侧形成有Al膜的阳极氧化基板的群组。