[发明专利]堇青石质陶瓷及使用其的半导体制造装置用部件无效

专利信息
申请号: 201180050843.7 申请日: 2011-10-26
公开(公告)号: CN103180262A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 饭田修一;福饭明雄;须惠敏幸 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: C04B35/195 分类号: C04B35/195;H01L21/683
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供热膨胀系数小、机械强度优异的堇青石质陶瓷及使用其的半导体制造装置用部件。所述堇青石质陶瓷中,相对于具有以氧化物换算量计含有Mg12.6质量%以上且14.0质量%以下、以氧化物换算量计含有Al33.4质量%以上且34.4质量%以下、及以氧化物换算量计含有Si52.0质量%以上且53.6质量%以下的组成范围的主成分100质量%,含有换算成氧化物时为4.5质量%以上且15.0质量%以下的Y、Yb、Er及Ce中的任一种作为副成分,并且堇青石、二硅酸盐及尖晶石作为晶相存在。该堇青石质陶瓷的热膨胀系数在±120ppb/℃的范围内,四点弯曲强度为170MPa以上,具有低热膨胀性及优异的机械强度。
搜索关键词: 青石 陶瓷 使用 半导体 制造 装置 部件
【主权项】:
一种堇青石质陶瓷,其特征在于,相对于具有以氧化物换算量计含有Mg12.6质量%以上且14.0质量%以下、以氧化物换算量计含有Al33.4质量%以上且34.4质量%以下、及以氧化物换算量计含有Si52.0质量%以上且53.6质量%以下的组成范围的主成分100质量%,含有换算成氧化物时为4.5质量%以上且15.0质量%以下的Y、Yb、Er及Ce中的任一种作为副成分,并且堇青石、二硅酸盐及尖晶石作为晶相存在。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社,未经京瓷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180050843.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top