[发明专利]上拉式电极和华夫饼型微结构有效
| 申请号： | 201180049778.6 | 申请日： | 2011-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN103155069A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 理查德·L·奈普;罗伯图斯·彼得勒斯·范坎彭;阿纳特兹·乌纳穆;罗伯托·加迪 | 申请（专利权）人： | 卡文迪什动力有限公司 |
| 主分类号： | H01H1/00 | 分类号： | H01H1/00;H01H59/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明一般涉及MEMS装置及用于所述MEMS装置的制造的方法。MEMS装置的悬臂可具有华夫饼型微结构。华夫饼型微结构利用支撑梁以对微结构赋予刚性同时允许所述支撑梁弯曲。华夫饼型微结构允许刚性结构结合挠性支撑件的设计。另外，复式弹簧可用以产生非常刚性的弹簧以改进MEMS装置的热切换性能。为了允许MEMS装置利用较高射频电压，可将上拉式电极定位于悬臂之上以帮助将悬臂自接触电极拉开。 | ||
| 搜索关键词： | 上拉式 电极 华夫饼型 微结构 | ||
【主权项】：
一种产生微机电装置的方法，所述方法包含以下步骤：沉积第一牺牲层于介电层之上；沉积第一构造层于所述第一牺牲层之上；沉积第二牺牲层于所述第一构造层之上；形成一或多个第一介层洞通过所述第二牺牲层，以曝露所述第一构造层的至少一部分；在所述一或多个第一介层洞之内且于所述第二牺牲层之上沉积第二构造层；沉积第三牺牲层于所述第二构造层之上；和移除所述第一牺牲层、所述第二牺牲层及所述第三牺牲层，以在空腔之内释放所述第一构造层及所述第二构造层。
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