[发明专利]上拉式电极和华夫饼型微结构

权利要求书

1.一种产生微机电装置的方法，所述方法包含以下步骤：

沉积第一牺牲层于介电层之上；

沉积第一构造层于所述第一牺牲层之上；

沉积第二牺牲层于所述第一构造层之上；

形成一或多个第一介层洞通过所述第二牺牲层，以曝露所述第一构造层的至少一部分；

在所述一或多个第一介层洞之内且于所述第二牺牲层之上沉积第二构造层；

沉积第三牺牲层于所述第二构造层之上；和

移除所述第一牺牲层、所述第二牺牲层及所述第三牺牲层，以在空腔之内释放所述第一构造层及所述第二构造层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三牺牲层在移除所述第二牺牲层之前移除。

3.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包含以下步骤：

形成第二电极于所述第三牺牲层之上；和

沉积封装层于所述第二电极之上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一牺牲层在移除所述第三牺牲层之后移除。

5.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包含以下步骤：

形成一或多个第二介层洞通过所述介电层以曝露一或多个第一电极；

沉积导电材料至在所述一或多个第一电极之上的所述一或多个第二介层洞中；

形成一或多个第三介层洞通过所述第一牺牲层以曝露所述导电材料；

于所述第一牺牲层之上且在所述一或多个第三介层洞中沉积所述第一构造层；

沉积封装层于所述第三牺牲层之上；和

经由所述封装层中的开口引入蚀刻气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中形成一或多个介层洞以曝露一或多个第一电极的步骤包含以下步骤：形成两个介层洞以曝露两个第一电极。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第三牺牲层在移除所述第二牺牲层之前移除。

8.根据权利要求7所述的方法，所述方法进一步包含以下步骤：

在沉积所述封装层之前，形成第二电极于所述第三牺牲层之上。

9.一种微机电装置，所述微机电装置包含：

第一构造层，所述第一构造层耦接至多个第一电极；

第二构造层，所述第二构造层与所述第一构造层间隔以在所述第一构造层与所述第二构造层之间界定空间；和

多个支柱，所述多个支柱安置在所述空间之内且耦合于所述第一构造层与所述第二构造层之间，所述第一构造层、所述第二构造层及所述多个支柱形成华夫饼(waffle)图案。

10.根据权利要求9所述的微机电装置，其中所述第一构造层与一或多个第二电极间隔。

11.根据权利要求10所述的微机电装置，所述微机电装置进一步包含：

介电层；和

嵌入在所述介电层之内的所述一或多个第二电极，其中所述一或多个第二电极嵌入在所述介电层之内，且其中所述第一构造层、所述第二构造层及所述多个支柱集体地可在两个位置之间移动，在其中一个位置中所述第一构造层与所述介电层接触，在其中另一个位置中所述第一构造层与所述介电层间隔。

12.根据权利要求11所述的微机电装置，其中所述第一构造层、所述第二构造层及所述多个支柱经安置在空腔之内，所述空腔具有与所述第二构造层间隔的顶部，所述装置进一步包含：

一或多个第三电极，所述一或多个第三电极耦合至所述顶部且与所述第二构造层间隔，且其中所述第一构造层、所述第二构造层及所述多个支柱集体地可在两个位置之间移动，在其中一个位置中所述第二构造层与所述一或多个第三电极接触，在其中另一个位置中所述第二构造层与所述一或多个第三电极间隔。

13.根据权利要求9所述的微机电装置，其中所述第一构造层、所述第二构造层及所述多个支柱经安置在空腔之内，所述空腔具有与所述第二构造层间隔的顶部。

14.根据权利要求13所述的微机电装置，其中所述第一构造层、所述第二构造层及所述多个支柱可在所述空腔之内移动。