[发明专利]多芯片安装用缓冲膜有效
| 申请号： | 201180048307.3 | 申请日： | 2011-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103155128A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 石神明;蟹泽士行;波木秀次;马越英明;青木正治 | 申请（专利权）人： | 迪睿合电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢曼;李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在多芯片安装时不会发生排列偏差、可确保良好的连接可靠性的多芯片安装用缓冲膜具有由耐热性树脂层和柔软性树脂层层叠而成的结构，所述耐热性树脂层具有80ppm/℃以下的线膨胀系数，所述柔软性树脂层由以JIS-K6253为基准的肖氏A硬度为10～80的树脂材料形成。多芯片模块可通过如下方法制造：将多个芯片元件经由粘接剂排列在基板上，进行临时粘贴，然后在芯片元件和焊头之间配置多芯片安装用缓冲膜，使其耐热性树脂层处于芯片元件侧，通过焊头加热加压，从而将多个芯片元件与基板连接。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 安装 缓冲 | ||
【主权项】：
一种多芯片安装用缓冲膜，该缓冲膜是具有耐热性树脂层和形成于其上的柔软性树脂层的多芯片安装用缓冲膜，其中，耐热性树脂层具有80ppm/℃以下的线膨胀系数，柔软性树脂层由以JIS‑K6253为基准的肖氏A硬度为10～80的树脂材料形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
