[发明专利]液相化学沉积装置、方法及其制品有效
| 申请号： | 201180045823.0 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103119700A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | L·皮尔·德罗什蒙;亚历山大·J·科瓦斯 | 申请（专利权）人： | L·皮尔·德罗什蒙 |
| 主分类号： | H01L21/365 | 分类号： | H01L21/365;B05D3/02 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 杨帆 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法、装置以及由此制造的无定形态或结晶态的材料，其具有在分子水平上均匀的分子分布的多种元素。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 装置 方法 及其 制品 | ||
【主权项】：
一种用于形成无定形材料的方法，其特征在于，包含以下步骤：在溶液中混合液态金属有机前体；向有受控气氛的沉积室内的表面喷射金属有机前体溶液的液态气溶胶；加热该表面至温度高于金属有机前体的分解温度；以及使金属有机前体在与加热表面接触后分解以形成无定形材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
