[发明专利]双重递送腔室设计无效
| 申请号： | 201180043422.1 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103098174A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | P·艾文加;S·巴录佳;D·R·杜波依斯;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;T·诺瓦克;S·A·亨德里克森;Y-W·李;M-Y·石;L-Q·夏;D·R·威蒂 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡林岭;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基板处理系统包含邻近处理腔室的热处理器或等离子体发生器。第一处理气体进入所述热处理器或等离子体发生器。所述第一处理气体随后直接流动穿过喷头进入所述处理腔室。第二处理气体流动穿过第二流径，所述第二流径经过所述喷头。所述第一处理气体及所述第二处理气体在所述喷头下方混合且在所述喷头下方的基板上沉积材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 递送 设计 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：提供耦合至喷头上表面的热腔室、耦合至所述喷头下表面的处理腔室以及在所述处理腔室中的用于支撑基板的基座；加热所述热腔室中的第一处理气体以产生中性基；传送所述中性基从所述热腔室经过延伸穿过所述喷头的第一列孔至所述处理腔室；传送第二处理气体经过与所述第一列孔隔离的所述喷头中的第二列孔；将所述中性基与所述第二处理气体进行混合；以及在所述处理腔室中的所述基板上沉积材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
