[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201180043132.7 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN103081108A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 宫本忠芳 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本，*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 有源矩阵基板（20a）包括：绝缘基板（10a）；第一薄膜晶体管（5a），其包括设置在绝缘基板（10a）上的第一栅极电极（11b）和具有第一沟道区域（Ca）的第一氧化物半导体层（13a）；第二薄膜晶体管（5b），其包括设置在绝缘基板（10a）上的第二栅极电极（11c）和具有第二沟道区域（Cb）的第二氧化物半导体层（13b）；和覆盖第一氧化物半导体层（13a）和第二氧化物半导体层（13b）的第二栅极绝缘膜（17）。而且，在第二栅极绝缘膜（17）上设置有隔着第二栅极绝缘膜（17）与第一沟道区域（Ca）和第二沟道区域（Cb）相对配置的第三栅极电极（25）。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：绝缘基板；第一薄膜晶体管，其包括设置在所述绝缘基板上的第一栅极电极和设置在所述第一栅极电极上的具有第一沟道区域的第一半导体层；第二薄膜晶体管，其包括设置在所述绝缘基板上的第二栅极电极和设置在所述第二栅极电极上的具有第二沟道区域的第二半导体层；覆盖所述第一半导体层和所述第二半导体层的绝缘膜；和第三栅极电极，其设置在所述绝缘膜上，且隔着该绝缘膜与所述第一沟道区域和所述第二沟道区域中的至少一个相对配置。
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