[发明专利]用于填充半导体材料本体中深沟槽的工艺以及根据相同工艺所得的半导体器件

摘要

一种用于制造半导体器件(10；10‘)的工艺构思如下步骤：提供具有至少有一个深沟槽(4)的半导体材料本体(2)，该深沟槽(4)从本体顶部表面(2a)开始延伸通过半导体材料的所述本体；以及经由半导体材料外延生长填充深沟槽(4)，因而在半导体材料本体(2)内形成柱状结构(8)。制造工艺进一步构思通过对正在外延生长的半导体材料的伴生化学蚀刻调节外延生长以获得无空隙紧凑填充的深沟槽(4)的步骤；具体而言，蚀刻气体流被导入至与外延生长同一反应环境中，其中源气体流被提供用于相同的外延生长。

主权项

一种用于制造半导体器件(10；10')的工艺，包括以下步骤：提供具有至少一个深沟槽(4)的半导体材料本体(2)，所述至少一个深沟槽(4)从所述半导体材料本体(2)的顶部表面(2a)开始延伸通过所述半导体材料本体；以及经由半导体材料的外延生长填充所述深沟槽(4)，从而在所述半导体材料本体(2)内形成柱状结构(8)，其特征在于包括如下步骤：通过对正经历外延生长的所述半导体材料的伴生化学蚀刻调节所述外延生长，从而获得无空隙的、紧凑填充的所述深沟槽(4)；所述填充步骤包括在用于外延生长的反应环境中引入用于所述外延生长的源气体流；并且所述调节步骤包括在与所述外延生长的反应环境相同的反应环境中引入被设计成与所述源气体流混合的蚀刻气体流；以及其中所述调节步骤包括多个子步骤的序列，每个子步骤由在用于所述外延生长和伴生化学蚀刻的所述反应环境中供应的所述源气体流和所述蚀刻气体流之间的相应比率区分。