[发明专利]在工件的离子植入期间处理束流异常无效
| 申请号： | 201180032055.5 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102985995A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 拉塞尔·J·罗;阿塔尔·古普塔;威廉·T·维弗 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/304;H01J37/20 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;张洋 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在例如太阳能电池的工件的离子植入期间可被补偿的异常。在一例中，在第一动作期间以第一速度植入工件。此第一动作在工件中造成不均匀剂量区。然后在第二动作期间以第二速度植入工件。此第二速度与第一速度不同。此第二速度可对应整个工件或仅对应工件中的不均匀剂量区。 | ||
| 搜索关键词： | 工件 离子 植入 期间 处理 异常 | ||
【主权项】：
一种离子植入的方法，包括：在第一动作期间以第一速度植入第一工件，其中所述第一动作在所述第一工件中造成不均匀剂量区；以及在第二动作期间以第二速度植入所述第一工件，其中所述第二速度与所述第一速度不同。
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