[发明专利]具有局部发射极短路点的改进模式的相位控制晶闸管有效
| 申请号： | 201180030649.2 | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102947939A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | P.施特赖特 | 申请（专利权）人： | ABB技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/423;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明提议了一种具有新设计的相位控制晶闸管，其包括主栅极结构(306)和在晶闸管的阴极侧上以短路模式布置的多个局部发射极短路点(304)。其中，主栅极结构(306)包括从阴极侧的中央区向周边区延伸的纵向，优选是锥形的主栅极梁(316)。相邻主栅极梁(316)相对于关联的中间中线(314)以一定的距离来布置。短路模式在更靠近主栅极梁(316)的区(310)中比在更靠近关联的中线(314)的区(312)中更均匀。在远离主栅极梁(316)的区(312)中作出可能是匹配在阴极侧表面的相邻段中短路模式所必需的适应性，使得从主栅极梁(316)扩散的电子空穴等离子体不受短路点模式的任何非均匀性干扰。提议的设计规则能够实现晶闸管操作特性的改进，尤其是对于大区域相位控制晶闸管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 局部 发射极 短路 改进 模式 相位 控制 晶闸管 | ||
【主权项】：
一种相位控制晶闸管(100)，包括：在所述晶闸管的阴极侧(102)上的主栅极结构(306)；在所述晶闸管的阴极侧上以短路模式布置的多个局部发射极短路点(128)；其中所述主栅极结构包括从阴极侧表面的中央区向周边区延伸的纵向主栅极梁(316)；其中相邻主栅极梁(316)相对于关联的中间中线(314)以一定的距离来布置；其中所述短路模式在更靠近主栅极梁的区(310)中比在更靠近关联的中线(314)的区(312)中更均匀。
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